Разделы


Рекомендуем
Автоматическая электрика  Распространение радиоволн 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [ 115 ] 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183

+70 *ZD°C -3D I

+70 -20 T -30




Рис. 9-81. Температурные зависимости входных (а) и выходных (б) статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

Рис. 9-80. Температурные завнсщяости входных (й) и выходных (6) статических характеристик анзистора в схеме с общей базой.

щаются влево (рис. 9-80, а) на 2-Змв/град, а выходные должны смещаться вверх на величину приращения обратного тока коллектора /ко (рис. 9-80,6). У реальных транзисторов обратный ток коллектора /ко может заметно превыщать ток насыщения за счет других составляющих (см. стр. 393), слабо зависящих от температуры. При этом в области не слищ-ком высоких температур обратный ток зависит от температуры значительно меньще, чем ток насыщения.

Температурная зависимость статических характеристик в схеме с общим эмиттером (рис. 9-81) выражена сильнее, чем в схеме с общей базой, поскольку здесь возрастает влияние температурной зависимости коэффициента усиления по току. Ввиду того что ток базы соизмерим с обратным током коллекторного перехода, входные статические характеристики (рис. 9-81, с) при повыщении температуры не только смещаются влево, но и опускаются вниз, глубже заходя в область обратных направлений тока базы. Выходные характеристики (рис. 9-81,6) смещаются вверх на величину, примерно в р раз превыщающую температурное приращение обратного тока. Кроме того, увеличение коэффициента усиления по току снижает напряжение f/a при котором а обращается в единицу, а Р стремится к бесконечности. Поэтому допустимые рабочие напряжения коллектора в схеме с общим эмиттером могут заметно снижаться при повышении температуры.

Типичные температурные зависимости малосигнальных параметров транзистора приведены на рис. 9-82. Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером P=/i2i9 в среднем возрастает на 10-15% при повышении температуры на 10° С, но у транзисторов с высокоомной областью коллектора может увеличиваться более резко и при температуре 60-70° С стремиться к бесконечности. Температурный коэффици-

ления току эмиттера. Аналогичный характер зависимостей проявляется и у параметров-проводимостей и параметров-сопротивлений эквивалентного четырехполюсника при средних токах, пока сопротивления объемов полупроводника (/-g, rl, Гк.о, Гэ.о на рис. 9-61) малы в сравнении с сопротивлениями ОТМ.

Напряжение коллектора влияет на толщину коллекторного перехода и, следовательно, изменяет толщину базы w и напряженность поля в коллекторном переходе. Поэтому повышение коллекторного напряжения приводит к росту коэффициента усиления по току, к некоторому увеличению граничной частоты усиления по току в схеме с общей базой (f на рис. 9-79) и снижению емкости коллекторного перехода

(Ск). Кроме того, от напряжения на коллекторном переходе могут существенно зависеть шунтирующая его утечка и выходная проводимость в схеме с общей базой

(fee).

Зависимость электрических характеристик транзистора от температуры. Наибольшее влияние температура оказывает на ток насыщения р-п переходов транзистора, который увеличивается почти вдвое при повышении температуры на каждые 10° С. При этом в схеме с обшей базой входные статические характеристики транзисторов сме-



/hie

-

213-

I и

-чЯ7

60 ос

Рис. 9-82. Типичные зависимости параметров транзистора* от температуры.

ент емкости коллекторного перехода не превышает 10- град-К

Шумовые характеристики транзисторов

Для описания шумовых свойств транзисторов всеобщее распространение получил коэффициент шума Ш, показывающий, во сколько раз мощность шума Рш.н в цепи нагрузки реального транзистора превышает мощность шума Рш.н.ид в цепи нагрузки идеального бесшумного транзистора, эквивалентного по всем остальным параметрам данному реальному транзистору:

Я/ = = (? -(9-189) ш.и.ид \ .ш-н.ид /

Таким образом, как и в усилительных устройствах {§ IO-I) коэффициент шума транзистора показывает, во сколько раз ухудшается отношение сигнал/шум в результате привносимого транзистором шума.

Для придания коэффициенту шума однозначного смысла принято определять его яри условии, что источнику сигнала во входной цепи транзистора свойственны только тепловые шумы, напряжение которых связано с внутренним сопротивлением источника сигнала формулой Найквнста:

ма транзистора не зависит от частоты ,и достигает минимального значения 1(2-5 дб). На низких частотах (ниже fi иа рис. 9-85) коэффициент шума возрастает обратно пропорционально частоте, в связи с чем говорят о )шумовой компоненте - Комнонен-та l/f обусловлена несовершенством поверхности полупроводника. Специальными технологическими приемами удается существенно ослаблять эту компоненту, в результате чего у лучших низкошумящих транзисторов частота fi понижается до 100-200 гц и ниже.

f В области высших частот рост коэффициента шума объясняется флуктуациями токораспределения

между коллектором и базой при понижении коэффициента усиления по току а. Частота fz является среднегеометрической гранигшых частот ко-эффици!ентов усилений по току в схе-


06 W -

10 -

f=lKm.

Рис. 9-83. Типичные зависимости коэффициента шума транзистора от постоянного тока эмиттера (а) и напряжения Лллектора (б).


= 4kTR Д/.

(9-190)

Рис. 9-84. Типичные зависимости коэффициента шума транзистора от сопротивления источника сигнала.

тде k - постоянная Больцмана;

Т - абсолютная температура сопротивления источника Rt, которая при вычислении Ш принимается равной 290° К;

Д/-эффективная полоса пропускания.

Коэффициент шума транзистора зависит от рабочей точки (рис. 9-83) и температуры транзистора, от величины сопротивления источника сигнала (рис. 9-84) и от рабочей -частоты усилителя (рис. 9-85).

В области средних частот (обычно от диниц килогерц до 0,1 fJ коэффициент шу-


10 f, 10*

!0-/г 10 югц

Рис. 9-85. Зависимость коэффициента шума транзистора от частоты.



мах с общей базой (fj и с общим эмиттером (fp ):

/. = Г7Л7 (9-191)

где Ро - низкочастотное значение коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. Выше этой частоты коэффициент шума возрастает примерно пропорционально квадрату частоты.

Наивыгоднейшая величина тока эмиттера (/э.опт на рис. 9-83, й) у маломощных германиевых транзисторов в области 41Изких частот составляет 0,3-0,5 ма и возрастает с повышением рабочей частоты доЗ-5 ма. Наивыгоднейшее сопротивление источника сигнала (/?г.опт на рис. 9-84) в области низких частот составляет 500-1 ООО ом и понижается до 30-50 ом на выаиих рабочих частотах.

Оптимальные значения тока эмиттера, сопротивления источника сигнала и соответствующие значения коэффициента шума транзистора остаются примерно одинаковыми в любой схеме включения (с ОБ, ОЭ и ОК), но с учетом условий согласования по мощности наименьший коэффициент шума многокаскадных транзисторных усилителей в широком диапазоне частот обеспечивается при включении транзистора с общим эмиттером.

При повышении коллекторного напряжения коэффициент шума может существенно возрастать (рис. 9-83,6), что связано с увеличением флюктуации тока утечки коллектора и предпробойными явлениями..

Параметры транзистора в режиме большого сигнала

Если амплитуда напряжения сигнала на эмиттерном переходе превышает 20-50 мв, то расчеты, основанные на малосигнальных параметрах, становятся неточными. В этих случаях широко применяются графо-анали-тические методы расчета, использующие се-

мейства статических характеристик транзистора (см. стр. 412).

Кроме того, часто пользуются теми же формулами, что и в режиме малого сигнала, заменяя малосигнальные значения параметров средними за период значениями в рабочей области токов и напряжений.

Способы определения средних значений параметров транзистора при большом сигнале варьируются в зависимости от конкретного содержания решаемой задачи и требуемой точности. Наибольшую точность дает расчет средних значений как коэффициентов пропорциональности между амплитудами первых гармоник токов и напряжений сигнала с помощью анализа Фурье или модифицированных функций Бесселя. Приближенные низкочастотные средние значения параметров при большом сигнале определяются отношением конечных приращений токов и напряжений, -например:

Р=--

C; =const


Рис.

6. Рабочие точки транзистора в режиме в схеме с общим эмиттером.

и Т. Д. Величины приращений Д/к, А/э, Д/е и др. берутся равными удвоенной амплитуде рабочего сигнала.

Статические параметры транзистора-ключа. В подавляющем большинстве переключающих схем транзистор включается по схеме с общим эмиттером: ток нагрузки проходит по цепи, замыкающейся промежутком коллектор-эмиттер, а управление осуществляется при помощи сигналов, вводимых в цепь база - эмиттер. При этом запертое состояние (ток в цепи нагрузки выключен) достигается переводом рабочей-точки транзистора в область отсечки, а отпертое - переводом ее в область насьще-ния коллекторного тока (см. стр. 414). Постоянные напряжения и токи, действующие в цепях транзистора как в запертом, так и в отпертом состоянии, могут быть определены с помощью семейства выходных статических характеристик для схемы с общим эмиттером после нанесения линии нагрузки (рис. 9-86).

Ток коллектора запертого транзистора / .з - остаточный ток в выключенном состоянии. Зависит от свойств транзистора, температуры и способа запирания транзистора. Три возможных режима запирания транзистора характеризуют точки Б, В, Г на рис. 9-86. Наиболее надежным и распространенным способом запирания является смещение эмиттерного Ig перехода небольшим обратным

-I кз напряжением (для транзисто--го в ров структуры р-п-р Ue.s<0).

При этом ток /k.s достигает минимального значения, близкого переключения значению обратного тока кол-




1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [ 115 ] 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183

Яндекс.Метрика
© 2010 KinteRun.ru автоматическая электрика
Копирование материалов разрешено при наличии активной ссылки.