+ (-э + :б)]: (9-181) f

(9-182)

У-параметры смешанных П-образных моделирующих схем. Схемы этого типа (см, рис. 9-67 и 9-71) в области высоких частот имеют одинаковую обобщенную структуру (рис. 9-76),

Рис. 9-75. Схема для расчета Уцэ

Гб Ун

--1 1-0?

S 8 W г 5 8 10* 2 5 8 i

i SiD

Рис. 9-76. Обобщенная Рис. 9-77. Обобщенные частотные зависимости {/-параметров смешанной П-образиая схема. П-образной схемы.

Таблица 9-5

Параметры элементов обобщенной П-образной схемы (рис. 9-6)

При практических расчетах учет количественных соотношений между отдельными слагаемыми обычно позволяет существенно упрощать расчетные выражения, которые ввиду комплексного характера величии у , у , у я у в общем случае оказываются достаточно громоздкими.

для которой справедливы следующие соотношения:

Ув + Ук

У1а = -

l+6(fs + %)

Уа.=

У11 =

Л-rt{УsЛ-V

Ут~Уух f/k(l + -6i2l)+f/p.

(9-183)

(9-184)

(9-185)

(9-186)

причем проводимости у, Ук, У и ут выражаются через элементы моделирующих схем следующим образом (табл. 9-5).

Обобщенные частотные зависимости у-параметров смешанной П-образной схемы бездрейфового транзистора (см. рис. о7). Значительно упрощает расчеты и позволяет миновать стадию определения элементов эквивалентной схемы применение обобщенных зависимостей (рис. 9-77), которые отра-

жают частотный ход всех активных составляющих ghi и емкостей Chi, эквивалентных реактивным составляющим ji-параметров схемы (рис. 9-67), если каждый {/-параметр представить в форме

Ум = gkl + / < CkH

причем частотные зависимости имеют вид:

ekl = gkioi Ckl = Ckio

где ghio и Сью-низкочастотные значения составляющих gt и Сьа фг - обобщенная функция частоты.

Характерно, что масштаб горизонтальной оси на рис. 9-77 оказывается одинаковым для всех составляющих и в абсолютных значениях частоты определяется граничной частотой fy2i, которая может быть измерена непосредственно по уменьшению модуля \У21э\ ь У 2 раз в сравнении с низкочастотным значением g2i,o или рассчитана по значениям других стандартных параметров транзистора или элементов смешанной П-образной схемы.

Таблица 9-6

Параметры обобщенных частотных зависимостей

Через элементы П-образной схемы (см. рис. 9-67)

Через внешние параметры транзистора

12,0

*22,0

11,0

12,0

21,0

22,0

ек.э+йк.б (1+-6%1,о) (б.э+к)

-П.о-бт

Иэ 1Э

12э 21э his

2ХЭ

б Sn,o

б

к.б

б.э%2,0\ Ч.э/

lis

21Э 22Э

2э 21э

22,0

Для перехода от обобщенных зависимостей к абсолютным необходимо определить низкочастотные значения составляющих лш. Chio каждого {/-параметра, а для четырех из них (gu, giz, g22 и С22), частотная зависимость которых имеет второй перегиб,-. еще четыре нормализованные частоты Расчет необходимых тринадцати величин производится с помощью формул, сведенных в табл. 9-6, либо по значениям элементов смешанной П-образной схемы, либо не- посредственно по измеренным значениям семи стандартных параметров транзистора (низкочастотным значениям /i-параметров для схемы с общим эмиттером, rg, С, и одной из следующих частот: fy , /р или f).

Частотные зависимости параметров 21, Си, Сц и С21 определяются кривой =0, а параметров gu, gu, gzi и С22 - кривыми для соответствующих значений параметров Вп- .2- и Сз,- При отсутствии на рис. 9-77 кривой для данного значения следует прибегать к интерполяционному построению промежуточной кривой, имея в виду логарифмический масштаб интервалов между кривыми.

Значение частоты fy через параметры

моделирующей схемы вычисляется по формуле

где величины й и Сц.о -см. в табл. 9-6.

Если для расчета по внешним параметрам транзистора измерена частота /о или

/а . то

hn=hh-~ (9-188)

причем переход от к / осуществляется по формуле (9-147) или (1-170).

Зависимости малосигиальных параметров транзистора от рабочей точки и температуры

Зависимость параметров транзистора от рабочей точки. Рабочую точку транзистора в активной области характеризуют значением постоянного тока эмиттера /э (или практически равного ему тока коллектора /к) и величиной коллекторного напряжения (практически одинакового в схемах с общей базой f/к.б и с общим эмиттером t/к.э).

Зависимости всех низкочастотных параметров эквивалентного четырехполюсника от рабочей точки могут быть выяснены с помощью соответствующих семейств статических характеристик, поскольку эти параметры равны частным производнымтакли иных статических характеристик Например, входное сопротивление в схеме с ОБ при к. 3. на выходе

. af/3.6

Либ =

и может быть определено по семейству входных статических характеристик типа /s=f (f/о.б) для различных значений тока эмиттера h и напряжения коллектора t/к.б.

Типичный ход зависимостей /i-парамет-ров маломощных германиевых транзисторов в схемах с общей базой и с общим эмиттером от тока эмиттера и напряжения коллектора представлен на рис. 9-78, 9-79. На этих графиках за единицу принято значение

0.1 0,2

Рис. 9-78. Типичные зависимости параметров маломощного транзистора от постоянного тока эмиттера.

1.В 1,t Ь2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2

2 4 5 6 8 10 12 П 16 IB гов

C;j g=const

Рис. 9-79. Типичные зависимости параметров маломощного транзистора от постоянного напряжения коллектора.

каждого параметра при /э=1 ма и £/ =5 в.

Зависимости параметров моделирующих схем транзисторов от тока эмиттера представлены в аналитических выражениях этих параметров при описании соответствующих схем (см. стр. 425-429). Для элементов-проводимостей одномерной теоретической модели характерна прямая пропорциональность величины проводимости току эмиттера, а для элементов-сопротивлений - обратная пропорциональность величины сопротив-