нием в данную цепь большого сопротивления или большой индуктивности (холостой ход по переменному току). В режиме холостого хода какой-либо цепи ток малого сигнала в этой цепи (/] или /2) равен нулю.

В режиме короткого замыкания (к. з.), напротив, отсутствует переменная составляющая напряжения, т. е. поддерживается постоянное напряжение между соответствующими зажимами транзистора, что обычно достигается присоединением к ним источника питания с малым внутренним сопротивлением или блокированием этих зажимов конденсатором достаточной емкости (короткое замыкание по переменному току). При этом напряжение малого сигнала на данных зажимах ((/j или U2) равно нулю.

Параметры гц, уц и характеризуют входное сопротивление транзистора при том или ином режиме выходной цепи: Ux

гц ==у- при /2=0 (х. X. выходной цепи);

Уи=-~ при (/2=0 (к. 3. выходной цепи); Ui

=~r~ при (/2=0 (к. 3. выходной цепи). h

Параметры Z[2, У12 и характеризуют присущую транзистору внутреннюю обратную связь:

ги при /1=0 (х. X. входной цепи);

f/is=- при (/[=0 (к. 3. входной цепи);

у- при /i=0 (х. X. входной цепи).

Паражтры Z21. У2\ и h2\ характеризуют усилительные свойства транзистора:

г ! при /2=0 ((х. X. выходной цепи);

f/21 = при (/2=0 (к. 3. ВЫХОДНОЙ цепи);

hii-- при t/2=0 (к. 3. выходной цепи).

Параметры zz, У22 и 22 характеризуют выходное сопротив1Ление транзистора:

12 =-г~ при /i=0 (х. X. входной цепи);

12 h

f/2 =77~ при t/i=0 (к. 3. входной цепи); Uz

ftss=77 при /i=0 (х. X. входной цепи). Ui

Четыре параметра каждой системы полностью описывают свойства транзистора в данном режиме, и при необходимости всегда может быть осуществлен однозначный переход от одной системы параметров к другой (табл. 9-!).

Переход от одной системы параметров к другой позволяет максимально упростить методику расчета параметров сложных цепей. Для этого реальная схема рассчитываемого устройства представляется в виде

различных соединений ряда простейших четырехполюсников (см., например, рис. 9-57) н прежде всего определяются параметры каждого четырехполюсника. Параметры простейших пассивных четырехполюсников, образующихся при подобных операциях, приведены в табл. 9-2.

Далее, заменяя два простейших четырехполюсника (например, четырехполюсники /

Рнс. 9-57. Принципиальная схема (с) и представление ее в виде сочетания эквивалентных четырехполюсников.

н 2 на рис. 9-57) одним (/), вычисляют параметры производного четырехполюсника по параметрам составляющих четырехполюсников. Для каждого типа соединения составляющих четырехполюсников существует такая система параметров, при употреблении которой матрица производного четырехполюсника вычисляется простейшим способом - как сумма матриц составляющих четырехполюсников (табл. 9-3). Так, для вычисления параметров производного четырехполюсника / на рис. 9-57 необходимо взять {/-параметры четырехполюсников 1 и 2:

Уи. У12 У21 у 22

- матрица {/-параметров транзистора и 1 1

\y\2

r2 1

r2 r2 Л

При этом матрица {/-параметров производного четырехполюсника / будет:

{УЬ =

У21 - -

r2 1

Присоединяя к четырехполюснику / следующий четырехполюсник (5 на рис. 9-57), вычисляют далее параметры производного

Соотношения между параметрами четырехполюсника эквивалеитиого транзистору

Таблица 9-1

Zu г

-Й2 -Й1 Л!

ftzs

1 -g2

a ua

Zj2 -Zl2

-Zs, z

Bn У21 J

ft..

1 -K.

ug gl. -g2. 1

Qjj -ua -1 a

fc -1

uz z -z 1

1 -У,г Уа ад

ft.. ftl2

fill -gl2 -g2l gu

a,j До -I Qa,

j r 6,. 1 6 (-U6b

1 -z Zsi uz

ад Va -Уп 1

ftsa -ft.2 -hji ftij

g.i gu g2i g:2

Qj, -Да

1 0.2

ДЬ 6,2

z Дz 1 z

-1 г/21

ад й,

Дй h

Й22 1

1 g

gii Дg.

0,1 а,г

Oji о 22

bja 6,2 621 &11

Zjj fiZ

1 z

г/12

г/., 1

Д* 22

1 ь

Ьгг ДЬ

Дg g22 g,. 1

аа2 a,2 021 о

Ь 6,2

bt, 622

Здесь: Дг = г z - z,iz ; дЬ = Ь Ьг - Ь,2 Ь ; Да = а о - а Oj,; = УцУгг -BaVti. Дб = gu g22 - fiu g2i; Дб=Ь Ь г-fcii Ьи-

Матрицы простейших пассивных четырехполюсников

Схема четырехполюсника

Название схемы

Прямое соединение

Перекрещенное соединение

Сопротивление в продольной

Сопротивление поперечной ветви

г г г г

Г-образное звено типа Т,

г, + г, zj

г, г,

Г-образвое звево типа П

г, г,

г, г, + гг

Zi + гг г,гг 1

Т-образиое звево

г, + г, 22 г, 22 + 23

й4- Уг + й

-УгУ,

П-образиое

ssenojii

Zi+ Za+ г.

г + 2,

- Вг Вг + В,.

Г

Идеальный трасформатор с встречным соединением JS обмоток