Разделы


Рекомендуем
Автоматическая электрика  Расчет вибропрочности конструкции 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [ 12 ] 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154

= (0,3 ± 0,04) 10 и п-р- -типа К = (0,46 ± 0,033) . 10.

При облучении биполярных транзисторов, не имеющих на поверхности кристалла защитных покрытий, наблюдается обратимое возрастание тока 7ко из-за ионизационных эффектов. Удовлетворительного метода прогнозирования изменений / д при ИИ пока не найдено. При прочих равных условиях наиболее устойчивы к ИИ транзисторы с минимальными размерами структуры и ступенчатым распределением примеси в р-п-переходах.

Для повышения радиационной стойкости РЭА рекомендуется применять высокочастотные траизисторы с пассивирующими покрытиями на поверхности кристалла и с низкой мощностью рассеяния, работающие в режиме больши? токов.

Униполярные транзисторы. Радиационная стойкость определяется из-

Интегральные микросхемы

Действие ИИ проявляется в обратимых нарушениях работоспособности, вызванных ионизационными эффектами, и в необратимой деградации параметров.

менениями поверхностных и объемных состояний, обусловленными процессами в окисле, покрывающем поверхность приборов. Униполярные транзисторы выдерживают уровни ИИ меньшие, нежели биполярные. Наиболее чувствительйы к воздействию ИИ униполярные транзисторна с изолированным затвором (МДП транзисторы) Уже при ПДИ фотонного излучения менее 10 рад и ПИЧ, равном 1012 част/см, наблюдается необратимый сдвиг характеристик прямой передачи в сторону более отрицательных смещений затвора (изменение порогового напряжения). Направление сдвига не зависит от типа проводимости канала и напряжения на затворе. Равные дозы различных излучений создают одинаковый сдвиг характеристик. Абсолютная величина сдвига зависит от толщины и материала диэлектрической пленки (чувствительность к ИИ снижается в следующей последовательности: SiOj, SiN4, SiO, AlaOe), материала электродов, технологии изготовления приборов, напряжения на затворе. Наиболее устойчивыми к ИИ являются МДП структуры с диэлектриком на основе AI2O3. Они выдерживают фотонные излучения с Г!ДИ до 10 рад и уровни быстрых нейтронов ПИЧ до 10 нейтр ./см. Униполярные транзисторы с управляющим р-и-переходом обладают большей устойчивостью к ИИ, чем МДП транзисторы. Последствия ИИ проявляются Б увеличении . тока утечки затвора. Минимально изменяются и характеристики транзисторов с р-каналом; ток утечки затвора при ИИ не превышает 10 нА. В транзисторах с -каналом при обратном смещении на затворе~ ток утечки может достигать 1 мкА.

Таким образом, среди униполярных транзисторов наибольшей устойчивостью к воздействию ИИ обладают приборы с управляющим р-п-переходом и р-каналом.

Транзисторы

Биполярные транзисторы. Радиационная стойкость в основном определяется деградацией ко.эффициен-та передачи по току. Второстепенные эффекты: изменение вольт-амперных характеристик р- -переходов, уменьшение емкостей р- -переходов. Главная причина деградации параметров биполярных транзисторов при ИИ - радиационные дефекты в полупроводниковом материале.

Максимально допустимый ПИЧ, который может выдержать биполярный транзистор для заданного изменения параметра hi, определяется из соотношения:

где - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общей базой, Гц; hi - коэффициент передачи транзистора по току в схеме с общим эмиттером до начала ИИ, h i - коэффициент передачи транзистора потоку Б схеме с общим эмиттером после ИИ; К - постоянная, зависящая от типа транзистора, нейтр с/см . (для германиевых транзисторов р-h-рТипа К = = (4,2 ± 0,2) . 10 и и-р-я-типа К = (1,8 ± 0,2) . 10; для кремниевых транзисторов р-ft-р-типа К =



достигается при мощности ПДИ, равной 2 10 рад/с.

При тепловом поглощении фотонных излучений наблюдаются различные повреждения:- от разрушения контактов до полного испарения межсоединений. Степень разрушений возрастает с ПДИ и зависит от атомного веса материала. Надежность алюминиевых соединений существенно не изменяется при действии ПДИ, полностью разрушающей золотые проводники.

Значительный интерес для использования в условиях ИИ представляют ИС на основе керамических элементов (керамические твердые схемы). Такие ИС способны работать при нейтронном ИИ при ПИЧ 10 ... ... 10 нейтр./см и ПДИ фотонных излучений до Ю ... 10** рад.

С помощью конструктивно-технологических мер предполагается в ближайшие годы повысить радиационную стойкость ИС на 3 ... 4 порядка [22 ... 26]. В настоящее время хорошо отработаны и широко используются схемотехнические методы фототоковой компенсации, функциональное резервирование и другие меры, позволяющие повысить радиационную стойкость ИС на один-два порядка.

Данные по допустимым ПИЧ и ПДИ для некоторых материалов и ЭРЭ приведены на рис. 2.4,

Влияние ИИ ,

на электровакуумные приборы

Основные радиационные дефекты при воздействии ИИ на электровакуумные приборы: комптоновские токи, разгерметизация или разрыв баллона, выделение газов (СО, COg, Оа пары HgO) с последующим отравлением катода, вторичное ИИ.

Главным источником комптонов-ских электронов является сетка. Анодный ток при воздействии ИИ увеличивается так, как если бы на сетку было подано положительное напряжение. Степень возрастания анодного тока зависит от коэффициента усиления лампы и величины сопротивления между сеткой и катодом.

Степень воздействий ИИ на баллоны из стекла и керамики зависит от сорта материала. Наименее стой-

Основные причины нарушения работоспособности: изменение параметров у входящих в них элементов (резисторов, транзисторов и др.), повреждение межсоединений, ухудшение качества изоляции. Радиационная стойкость конкретных ИС определяется их конструктивно-технологическими и схемными особенностями.

Конструкти вно-технологические методы повышения радиационной стойкости ИС следующие:

- обеспечение стойкости к ИИ активных и пассивных элементов;

- создание надежной электрической изоляции элементов в условиях воздействия ИИ;

- использование радиационно-стойких проводящих и диэлектрических пассивирующих материалов;

- ослабление первичного ИИ за счет рационального выбора конструкции корпуса и применение материалов, поглощающих энергию ИИ.

Наименее устойчивы к ИИ ИС с изоляцией сстречно включенными /)-п-переходами. Уже при ПДИ 10* ... 10 рад существенно возрастает уровень электрических паразитных связей между элементами. Активизируются также паразитные переключающие четырехслойные структуры, связанные с изолирующими переходами. Все это вызывает сбои или полный отказ ИС. Совершенствование этого способа ведется по пути уменьшения площади изолирующего перехода (метод ионной имплантации и др.) и использования изоляции в виде двуокиси кремния, сапфира, керамики. При использовании сапфировых подложек можно получить ИС, способные работать при мощности ПДИ до Ш рад/с. ИС на поликристаллической подложке выдерживает излучение с мощностью ПДИ до 10- ... 10 рад/с. Повреждение межсоединений может произойти из-за фототоковой генерации и теплового поглощения материалом межсоединений низкоэиер-гетических фотонных излучений.

Разрушение межсоединений из-за фототоковой генерации характерно для биполярных ИС, в которых при ИИ плотность тока в металлизации может возрасти в 100 раз. Для алюминиевой металлизации типичной толщины предел термоэлектрической про-чности составляет 5 - 10 А/см, что



ДВуотсь о/!юття

Пасло иретииореаначесиое Полиамиды Лошширт

Полиэтилен -

Пол /7ро6о0тии е/т/аллы

Смолб/ фетльные--

Смоль/ э/7оти0ш/е Стенло

Dmemonwom--

Фторопласт Бороуаперодистые MepmuvecHue Шснретт/е и ашегральт/е)

/OM/703utfe/oHm/e: -перемешыв miemvm/e - переметь/е сбьемт/е -лостоянт/8

ffemffллoллemvл6/e -

Лло6олочт/е:

-на керомине

Готолле отб/е г/лтегралбт/е Углеродисть/е me/fowb/e

Вумам- ь/е ---

Hepamvec/fue Пленочные

Сегнето/еромтесние Стенлоэмалевь/е и слюдяные Элентролишчеснае

Диоды высоночастотные Диоды тзночастотт/е Диоды л71/тельт/е Тронзишорь/ дилолярные: -германиевые В.ч. -еерманиедые н.ч.

- нремниеВь/е В. ч. -нремниеВые н.ч. Транзисторь/ МДП

/нл7егрильт/е минросхемы:

- нерамичеоние -пленочные

-поле ?рододниноВые ТТЛ -на ком/7леменл?арны}с МДП транзисторах

- на /1ДЛ транзисторих одтго mum проводимости





1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [ 12 ] 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154

Яндекс.Метрика
© 2010 KinteRun.ru автоматическая электрика
Копирование материалов разрешено при наличии активной ссылки.