Общая погрешность сопротивления по постоянному току - I Д/? I = За [Д/?] + I М [AtR\ I =

где Дц/? в допуск при изготовлении; AfR - возможное изменение номинального сопротивления из-за изменения температуры; Д/? - возможное изменение из-за старения.

Для учета паразитных емкостей и индуктивностей резисторов обычно используются эквивалентные схемы (рис. 6.2). Комплексное сопротивление синусоидальному напряжению такого резистора

где /?д-номинальное значение со- i,

противления резистора, измеренного на постоянном токе. Эквивалентная схема пленочного резистора имеет

.J-4V-\

такой же вид. В табл. 6.1 приведены /V .

зГнГЛе=пл еГчТыГпо: ис. 62. Электрическая схема зам. углеродистых резисторов. проволочного резистора.

Для повышения стабильности Сопротивлений резисторов рекомендуется снижение нагрузки. Например, для наиболее стабильного резистора типа С2-13 рекомендуются такие нагрузки:

Процент от Допуск, %

номинальной

10 0,1

20 . 0,2

30 0,5

50 1,0

В табл. 6.2 [21] приведены характеристики резисторов из микропровода в стеклянной изоляции. Коэффициент нестабильности этих резисторов за год эксплуатации имеет примерно тот же порядок, что и допуск при изготовлении, и в большой степени зависит от условий эксплуатации. В табл. 6.3 приведены результаты исследования [2] стабильности сопротивления резистора МВСГ мощностью 1 Вт при различной нагрузке Р и температуре окружающей среды.

Перспективными для применения в АВМ являются готовые наборы резисторов - схемные элементы сопротивления (СЭб) [22] со следующими характеристиками:

I предельная относительная погрешность отношения сопротивлений резисторов в наборе (0,05%, 0,01%, 0,005% -.в интервале температур О-60° С);

температурный коэффициент отношения сопротивлений (1...2) - 10 *;

коэффициент нестабильности при номинальной нагрузке в течение 1500 ч и температуре 30 ±5 С (для наборов резисторов по 50 кОм среднее квадратичное отклонение отношений имеет порядок 0,0015%, для наборов по 100 и 200 кОм - 0,0014% и для наборов по 500 кОм - 0,0012%). Габаритные размеры СЭС существенно меньше размеров наборов из отдельных герметизированных микропроволочиых резисторов.

Из сравнения характеристик микропроволочных и углеродистых или пленочных резисторов видно, что у первых допуски изготовления, температурные

коэффициенты сопротивления, коэффициенты нестабильности резисторов на порядок и более меньше. Недостатком микропроволочных резисторов являются значительные паразитные распределенные межвитковые емкости и индуктивности. В табл. 6.4 приведены приближенные значения емкости схемы замещения (рис. 6.2) для некоторых типов резисторов. Эти данные справедливы в диапазоне частот сигналов от О до 1000-2000 Гц. Проволочные операционные резисторы обычно имеют безындуктивную намотку. При этом значение индуктивности в схеме рис. 6.2 не превышает 100 мкГн. При частотах сигналов до 1 МГц для резисторов, сопротивления которых превышают 20 кОм, влиянием индуктивности можно пренебречь. Поскольку величина емкости является случайной, то для полной ее характеристики следует знать закон распределения.Для резистора типа МВГС с номиналом 1 МОм и

Таблица 6.2

мощностью 0,5 Вт величина Сц имеет закон распределения вероятности, близкий к закону Релея с плотностью вероятности вида

гце а = 13 пФ в диапазоне частот сигнала от О до 1000-2000 Гц.

Можно предположить, что качественный характер законов распределения вероятностей емкостей остальных типов микропроволочных резисторов, аналогичен характеру закона Релея. При уменьшении габаритных размеров за счет уменьшення шага намотки микропровода величина увеличивается.